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厂商型号

NTMFS4847NT1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin SO-FL T/R

内部编号

277-NTMFS4847NT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

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美国费城
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NTMFS4847NT1G产品详细规格

规格书 NTMFS4847NT1G datasheet 规格书
NTMFS4847NT1G datasheet 规格书
NTMFS4847N
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.1 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 28nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2614pF @ 12V
功率 - 最大 880mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商器件封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SO-FL
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 29.5 A
RDS -于 4.1@11.5V mOhm
最大门源电压 ±16 V
典型导通延迟时间 17.7 ns
典型上升时间 53 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
典型下降时间 8.7 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11.5A (Ta), 85A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商设备封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.1 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 880mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 2614pF @ 12V
闸电荷(Qg ) @ VGS 28nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Quad Drain Triple Source
源极击穿电压 +/- 16 V
连续漏极电流 29.5 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 4.1 mOhms
功率耗散 5.8 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 53 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.7 ns

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